iPhone 6s 晶片門事件三部曲 - 二部曲

[pertonas]

吉米引言



在故事開始之前

吉米要先來提一下，關於這次 iPhone 6s 晶片門事件

我只相信兩個人，一個是寫出這個檢查程式的 皮樂 ，大家可以先從「首部曲」開始看

接著將由 前VR-ZONE主編 也是現在 BenchLife 的主編 pertonas 來幫我們做專業的硬體解析

我們也不是想要掀起什麼紛爭

只是把故事的前因後果給交代清楚而已

接著，讓我們來看一下二部曲吧～

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14nm vs 16nm FinFET 製程，Apple 這顆 A9 SoC 怎麼了？

iPhone 6s 新聞仍舊不間斷，Apple A9 SoC 的 Chipgate 到底怎麼回事。

搜尋 Chipgate，你可以在 Google 得到一堆訊息，不過對於重度使用者而言，影響的確是有，但對於一般正常使用的情境下，其影響程度並不算太高。

這次 Apple 的 iPhone 6s 以及 iPhone 6s Plus 混著 TSMC 以及 Samsung Electronics 兩家不同製程的產品，同時一些數據顯示兩款不同製程的處理器在續航力部分有相當明顯不同，這讓不少消費者趨向選擇 TSMC 版本的 Apple A9 SoC。

雖然 Apple 釋出訊息，提到不論來自哪一家供應商，基本上都符合 Apple 的規範，但這樣的聲明並沒有獲得部分消費者認同。

With the Apple-designed A9 chip in your iPhone 6s or iPhone 6s Plus, you are getting the most advanced smartphone chip in the world. Every chip we ship meets Apple’s highest standards for providing incredible performance and deliver great battery life, regardless of iPhone 6s capacity, color, or model.

Certain manufactured lab tests which run the processors with a continuous heavy workload until the battery depletes are not representative of real-world usage, since they spend an unrealistic amount of time at the highest CPU performance state. It’s a misleading way to measure real-world battery life. Our testing and customer data show the actual battery life of the iPhone 6s and iPhone 6s Plus, even taking into account variable component differences, vary within just 2-3% of each other.

目前見到的部分續航力測試都是透過 GeekBench 3 進行，相關測試是讓螢幕常亮，以及處理器在高負載下進行，這樣的測試行為就如同 Apple 所說，並不符合實際環境使用情境。一般正常使用的情況，消費者的智慧型手機處理器不可能永遠處在滿載情況，更別提螢幕衡亮這件事。

網路上的數據當然有其理論基礎，但這樣的數據就不是一般人每天會做的事情。

Samsung Electronics 14nm FinFET、TSMC 16nm FinFET 與 Intel 的 14nm 都屬於先進製程，在 Moore's Law 條件下從過去的 45nm、32nm、28nm、20nm 一直推進。

越先進的製程除了改善漏電情況外，同時在同一片晶圓下也能切出更多的晶片。其中，改善漏電率以塞入更多的電晶體，並提升可用時脈範圍是最常見提升晶片效率的方法。就 20nm 與 16nm 製程相比，後者可以在同樣面積的晶片以及同功耗下塞入更多的晶體以提升整體表現。

若只是在同製程下塞入一樣多電晶體，則通常是為了提升產量，理論上也可以透過拉高時脈來改善表現。

就市場觀點來看，14nm FinFET 製程的 Samsung Exynos 7420 在漏電情況控制的相當不錯，然而 TSMC 的 16nm FinFET 的實際表現卻要好許多。

可以確定一件事情，從過去的 2D 平面到現在的 3D Tri-Gate，基本上只有其中一處符合，加上電晶體密度翻倍，即可對外說是先進製程。與資深的產業記者談到這部分，對方語帶保留地提到，基本上不論是 14nm FinFET 或者是 16nm FinFET 製程都不算完整，因此漏電改善的情況不如想像中完美。

14nm FinFET 有著 LPE 以及 LPP，16nm 有 FinFET 以及 FinFET+，但對一般消費者來說，再繼續探究這部分並沒有太大用意。

另一方面，Samsung 的 14nm FinFET 良率確實沒有 TSMC 16nm FinFET 高，然而透過電壓曲線動態調整的方式提升良率，也可能是造成此次事件的原因之一。不過，這部分並未獲得官方證實，只是網路上與業界朋友有不少觀點相同，因此特別提到。

智慧型手機不單單只有 SoC，同時還有 NAND Flash、面板、以及其他通訊模組組成，因此耗電組合非常複雜，不單只是 SoC 問題而已。

目前 iPhone 6s 與 iPhone 6s Plus 的基本零組件供應商包含：

SoC：Samsung Electronics、TSMC
Memory：SK Hynix、Samsung Electronics、Micron
NAND Flash：Toshiba、SK Hynix
Panel：LG Electroncis、SHARP
鏡頭：大立光、立晶光
Modem：Qualcomm

從開發到裝置推出市場，至少需要一年以上的時間，中間若有任何大問題，難道 Apple 會不知情？ 就目前知道的消息，Samsung Electronics 與 TSMC 對 Apple A9 SoC 的供貨比例是 50：50，但裝置部分會如何搭配就不得而知。

Apple 當然可以完全交由 Samsung Electronics 或 TSMC 單獨負責，但在價格、產能、良率以及交期考量之下，即使兩家先進製程的產能仍無法處於滿載情況，Apple 也不會讓其中一家獨拿，因為 14nm FinFET 或是 16nm FinFET 製程仍太新。

既然 Apple 已提到兩家 A9 SoC 均符合官方測試標準，各位已經入手的就安心使用吧。

BenchLife.info





延伸閱讀


iPhone 6s 晶片門事件三部曲 - 首部曲
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iPhone 6s 晶片門事件三部曲 - 二部曲
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